画像はイメージの場合もございます。
商品詳細は仕様をご覧ください。
商品詳細は仕様をご覧ください。
FDN5618P_G
INTEGRATED CIRCUIT
部品番号
FDN5618P_G
メーカー/ブランド
シリーズ
PowerTrench®
部品のステータス
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ
SuperSOT-3
消費電力(最大)
500mW (Ta)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
1.25A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
170 mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
13.8nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
430pF @ 30V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 46719 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード FDN5618P_G
FDN5618P_G 電子部品
FDN5618P_G 売上
FDN5618P_G サプライヤー
FDN5618P_G ディストリビュータ
FDN5618P_G データテーブル
FDN5618P_Gの写真
FDN5618P_G 価格
FDN5618P_G オファー
FDN5618P_G 最安値
FDN5618P_G 検索
FDN5618P_G を購入中
FDN5618P_G チップ