ON Semiconductor
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FDP10AN06A0
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FDP10AN06A0

MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
部品番号
FDP10AN06A0
メーカー/ブランド
ON Semiconductor
シリーズ
PowerTrench®
部品のステータス
Obsolete
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220AB
消費電力(最大)
135W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
12A (Ta), 75A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
10.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
37nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1840pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
6V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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