ON Semiconductor
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FDP12N60NZ
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FDP12N60NZ

MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
部品番号
FDP12N60NZ
メーカー/ブランド
ON Semiconductor
シリーズ
UniFET-II™
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220-3
消費電力(最大)
240W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
600V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
650 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
34nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1676pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±30V
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