ON Semiconductor
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FDP22N50N
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FDP22N50N

MOSFET N-CH 500V 22A TO-220
部品番号
FDP22N50N
メーカー/ブランド
ON Semiconductor
シリーズ
UniFET™
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220-3
消費電力(最大)
312.5W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
500V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
220 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
65nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
3200pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±30V
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