FDR838P
MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-8
部品番号
FDR838P
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SMD, Gull Wing
サプライヤーデバイスパッケージ
SuperSOT™-8
消費電力(最大)
1.8W (Ta)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
17 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
45nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
3300pF @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
2.5V, 4.5V
Vgs (最大)
±8V
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