ON Semiconductor FDT86113LZ MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223 を購入

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FDT86113LZ

MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223

部品番号

FDT86113LZ

メーカー/ブランド

ON Semiconductor

シリーズ

PowerTrench®

部品のステータス

Active

包装

Tape & Reel (TR)

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Surface Mount

パッケージ・ケース

TO-261-4, TO-261AA

サプライヤーデバイスパッケージ

SOT-223-4

消費電力(最大)

2.2W (Ta)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

100V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

3.3A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

100 mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

2.5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

6.8nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

315pF @ 50V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

4.5V, 10V

Vgs (最大)

±20V

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