FQE10N20CTU
MOSFET N-CH 200V 4A TO-126
部品番号
FQE10N20CTU
メーカー/ブランド
シリーズ
QFET®
部品のステータス
Obsolete
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-225AA, TO-126-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-126
消費電力(最大)
12.8W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
200V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
360 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
26nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
510pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±30V
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