ON Semiconductor FQI50N06LTU MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK を購入

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FQI50N06LTU

MOSFET N-CH 60V 52.4A I2PAK

部品番号

FQI50N06LTU

メーカー/ブランド

ON Semiconductor

シリーズ

QFET®

部品のステータス

Obsolete

包装

Tube

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

取付タイプ

Through Hole

パッケージ・ケース

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

サプライヤーデバイスパッケージ

I2PAK (TO-262)

消費電力(最大)

3.75W (Ta), 121W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

60V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

52.4A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

21 mOhm @ 26.2A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

2.5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

32nC @ 5V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

1630pF @ 25V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

5V, 10V

Vgs (最大)

±20V

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