FQI7N60TU
MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK
部品番号
FQI7N60TU
メーカー/ブランド
シリーズ
QFET®
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
サプライヤーデバイスパッケージ
I2PAK (TO-262)
消費電力(最大)
3.13W (Ta), 142W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
600V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
7.4A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
1 Ohm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
38nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1430pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±30V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 16708 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード FQI7N60TU
FQI7N60TU 電子部品
FQI7N60TU 売上
FQI7N60TU サプライヤー
FQI7N60TU ディストリビュータ
FQI7N60TU データテーブル
FQI7N60TUの写真
FQI7N60TU 価格
FQI7N60TU オファー
FQI7N60TU 最安値
FQI7N60TU 検索
FQI7N60TU を購入中
FQI7N60TU チップ