NDBA100N10BT4H
MOSFET N-CH 100V 100A DPAK
部品番号
NDBA100N10BT4H
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ
D²PAK (TO-263)
消費電力(最大)
110W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
6.9 mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
35nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2950pF @ 50V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V, 15V
Vgs (最大)
±20V
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