NDDL01N60Z-1G
MOSFET N-CH 600V 0.8A IPAK
部品番号
NDDL01N60Z-1G
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Obsolete
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
サプライヤーデバイスパッケージ
IPAK (TO-251)
消費電力(最大)
26W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
600V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
800mA (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
15 Ohm @ 400mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4.5V @ 50µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
4.9nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
92pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±30V
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