ON Semiconductor
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NID9N05ACLT4G
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NID9N05ACLT4G

MOSFET N-CH 52V 9A LL DPAK-3
部品番号
NID9N05ACLT4G
メーカー/ブランド
ON Semiconductor
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ
DPAK
消費電力(最大)
1.74W (Ta)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
52V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
90 mOhm @ 9A, 12V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 100µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
7nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
250pF @ 40V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
3V, 12V
Vgs (最大)
±15V
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