NTAT6H406NT4G
NCH 80V 175A 2.9MOHM
部品番号
NTAT6H406NT4G
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
-
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ
ATPAK
消費電力(最大)
90W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
80V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
175A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
2.9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
110nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
8040pF @ 40V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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