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NTE4151PT1G

NTE4151PT1G

MOSFET P-CH 20V 0.76A SC-89
部品番号
NTE4151PT1G
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
SC-89, SOT-490
サプライヤーデバイスパッケージ
SC-89-3
消費電力(最大)
313mW (Tj)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
760mA (Tj)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
360 mOhm @ 350mA, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
2.1nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
156pF @ 5V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
1.8V, 4.5V
Vgs (最大)
±6V
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