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NVD5117PLT4G-VF01

NVD5117PLT4G-VF01

MOSFET P-CH 60V 61A DPAK
部品番号
NVD5117PLT4G-VF01
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Digi-Reel®
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ
DPAK
消費電力(最大)
4.1W (Ta), 118W (Tc)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
11A (Ta), 61A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
16 mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
85nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
4800pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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