NVD5867NLT4G
MOSFET N-CH 60V DPAK
部品番号
NVD5867NLT4G
メーカー/ブランド
シリーズ
Automotive, AEC-Q101
部品のステータス
Active
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ
DPAK
消費電力(最大)
3.3W (Ta), 43W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
6A (Ta), 22A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
39 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
15nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
675pF @ 25V
Vgs (最大)
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
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