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NVD6416ANLT4G-VF01
MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
パッケージ・ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
74 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
40nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1000pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
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