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NVGS5120PT1G

NVGS5120PT1G

MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
部品番号
NVGS5120PT1G
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
SOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ
6-TSOP
消費電力(最大)
600mW (Ta)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
111 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
18.1nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
942pF @ 30V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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