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NVMSD6N303R2G
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
部品番号
NVMSD6N303R2G
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SOIC
消費電力(最大)
-
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
Schottky Diode (Isolated)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
32 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
30nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
950pF @ 24V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
-
Vgs (最大)
-
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