RFD3055LE
MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK
部品番号
RFD3055LE
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-251AA
消費電力(最大)
38W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
107 mOhm @ 8A, 5V
Vgs(th) (最大) @ ID
3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
11.3nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
350pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
5V
Vgs (最大)
±16V
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