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FJ3P02100L

FJ3P02100L

MOSFET P CH 20V 4.4A PMCP
部品番号
FJ3P02100L
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
3-SMD, Non-Standard
サプライヤーデバイスパッケージ
3-PMCP
消費電力(最大)
-
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
4.4A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
12.5 mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.05V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
3000pF @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
2V, 4.5V
Vgs (最大)
±8V
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