MTM231100L
MOSFET P-CH 12V 4A SMINI-3
部品番号
MTM231100L
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Obsolete
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
SC-70, SOT-323
サプライヤーデバイスパッケージ
SMini3-G1
消費電力(最大)
500mW (Ta)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
12V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
40 mOhm @ 1A, 4V
Vgs(th) (最大) @ ID
1V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1200pF @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
1.8V, 4V
Vgs (最大)
±8V
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