2SJ649-AZ
MOSFET P-CH 60V 20A TO-220
部品番号
2SJ649-AZ
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Bulk
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-220-3 Isolated Tab
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220 Isolated Tab
消費電力(最大)
2W (Ta), 25W (Tc)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
48 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
-
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
38nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1900pF @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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