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RJM0603JSC-00#13
MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
シリーズ
Automotive, AEC-Q101
パッケージ・ケース
20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
FETタイプ
3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FETの特徴
Logic Level Gate, 4.5V Drive
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
20A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
20 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
43nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2600pF @ 10V
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