RQJ0303PGDQA#H6
MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
部品番号
RQJ0303PGDQA#H6
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ
3-MPAK
消費電力(最大)
800mW (Ta)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3.3A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
68 mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
-
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
12nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
625pF @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
+10V, -20V
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