RQK0607AQDQS#H1
MOSFET N-CH
部品番号
RQK0607AQDQS#H1
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-243AA
サプライヤーデバイスパッケージ
UPAK
消費電力(最大)
1.5W (Ta)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
2.4A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
270 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
-
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
2nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
170pF @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
2.5V, 4.5V
Vgs (最大)
±12V
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