EM6J1T2R
MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6
部品番号
EM6J1T2R
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
SOT-563, SOT-666
パワー - 最大
150mW
サプライヤーデバイスパッケージ
EMT6
FETタイプ
2 P-Channel (Dual)
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
200mA
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1V @ 100µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
1.4nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
115pF @ 10V
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