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HP8S36TB

HP8S36TB

30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,
部品番号
HP8S36TB
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Digi-Reel®
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-PowerTDFN
パワー - 最大
29W
サプライヤーデバイスパッケージ
8-HSOP
FETタイプ
2 N-Channel (Half Bridge)
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
27A, 80A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
2.4 mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
47nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
6100pF @ 15V
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