HS8K11TB
MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
部品番号
HS8K11TB
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-UDFN Exposed Pad
パワー - 最大
2W
サプライヤーデバイスパッケージ
HSML3030L10
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
7A, 11A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
17.9 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
11.1nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
500pF @ 15V
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