QS6K1TR
MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
部品番号
QS6K1TR
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
パワー - 最大
1.25W
サプライヤーデバイスパッケージ
TSMT6 (SC-95)
FETタイプ
2 N-Channel (Dual)
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
1A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
238 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1.5V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
2.4nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
77pF @ 10V
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