QS8J12TCR
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
部品番号
QS8J12TCR
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Not For New Designs
包装
Tape & Reel (TR)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SMD, Flat Lead
パワー - 最大
550mW
サプライヤーデバイスパッケージ
TSMT8
FETタイプ
2 P-Channel (Dual)
FETの特徴
Logic Level Gate, 1.5V Drive
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
12V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
4.5A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
29 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
40nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
4200pF @ 6V
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