QS8J4TR
MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
部品番号
QS8J4TR
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SMD, Flat Lead
パワー - 最大
550mW
サプライヤーデバイスパッケージ
TSMT8
FETタイプ
2 P-Channel (Dual)
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
4A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
56 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
13nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
800pF @ 10V
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