R8002ANX
MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM
部品番号
R8002ANX
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Bulk
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-220-3 Full Pack
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220FM
消費電力(最大)
35W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
800V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
4.3 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
5V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
12.7nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
210pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±30V
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