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RDR005N25TL

RDR005N25TL

MOSFET N-CH 250V 0.5A SC-96-3
部品番号
RDR005N25TL
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Not For New Designs
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
SC-96
サプライヤーデバイスパッケージ
TSMT3
消費電力(最大)
540mW (Ta)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
250V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
500mA (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
8.8 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
3.5nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
70pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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