RE1J002YNTCL
MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM
部品番号
RE1J002YNTCL
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
SC-89, SOT-490
サプライヤーデバイスパッケージ
EMT3F (SOT-416FL)
消費電力(最大)
150mW (Ta)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
50V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
800mV @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
26pF @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
0.9V, 4.5V
Vgs (最大)
±8V
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