RQ1C065UNTR
MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
部品番号
RQ1C065UNTR
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SMD, Flat Lead
サプライヤーデバイスパッケージ
TSMT8
消費電力(最大)
700mW (Ta)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
22 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
11nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
870pF @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
1.5V, 4.5V
Vgs (最大)
±10V
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