RT1E040RPTR
MOSFET P-CH 30V 4A TSST8
部品番号
RT1E040RPTR
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SMD, Flat Lead
サプライヤーデバイスパッケージ
8-TSST
消費電力(最大)
550mW (Ta)
FETタイプ
P-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
45 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
20nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1000pF @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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