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RUM002N02T2L

RUM002N02T2L

MOSFET N-CH 20V 0.2A VMT3
部品番号
RUM002N02T2L
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Active
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
SOT-723
サプライヤーデバイスパッケージ
VMT3
消費電力(最大)
150mW (Ta)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
1.2 Ohm @ 200mA, 2.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
1V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
25pF @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
1.2V, 2.5V
Vgs (最大)
±8V
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