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SH8M11TB1

SH8M11TB1

MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP
部品番号
SH8M11TB1
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Not For New Designs
包装
Tape & Reel (TR)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パワー - 最大
2W
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SOP
FETタイプ
N and P-Channel
FETの特徴
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
30V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3.5A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
98 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
1.9nC @ 5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
85pF @ 10V
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