SMA5125
MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A 12-SIP
部品番号
SMA5125
メーカー/ブランド
シリーズ
-
部品のステータス
Not For New Designs
包装
Tube
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
12-SIP
パワー - 最大
4W
サプライヤーデバイスパッケージ
12-SIP
FETタイプ
3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FETの特徴
Standard
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
10A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
140 mOhm @ 5A, 4V
Vgs(th) (最大) @ ID
2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
460pF @ 10V
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