STI33N60M2
MOSFET N-CH 600V 26A I2PAK
部品番号
STI33N60M2
メーカー/ブランド
シリーズ
MDmesh™ II Plus
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
サプライヤーデバイスパッケージ
I2PAK (TO-262)
消費電力(最大)
190W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
600V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
125 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
45.5nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1781pF @ 100V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±25V
リクエスト引用
必須フィールドをすべて入力し、送信をクリックしてください。12 時間以内に電子メールでご連絡いたします。何か問題がございましたら、メッセージを残すか、[email protected] まで電子メールを送信してください。 できるだけ早く対応させていただきます。
在庫あり 25534 PCS
連絡先
関連製品
のキーワード STI33N60M2
STI33N60M2 電子部品
STI33N60M2 売上
STI33N60M2 サプライヤー
STI33N60M2 ディストリビュータ
STI33N60M2 データテーブル
STI33N60M2の写真
STI33N60M2 価格
STI33N60M2 オファー
STI33N60M2 最安値
STI33N60M2 検索
STI33N60M2 を購入中
STI33N60M2 チップ