STI6N90K5
N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3
部品番号
STI6N90K5
メーカー/ブランド
シリーズ
MDmesh™ K5
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-262-3 Full Pack, I²Pak
サプライヤーデバイスパッケージ
I2PAK
消費電力(最大)
110W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
900V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
1.1 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
5V @ 100µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
-
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
-
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±30V
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