STN2NE10L
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT-223
部品番号
STN2NE10L
メーカー/ブランド
シリーズ
STripFET™
部品のステータス
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-261-4, TO-261AA
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-223
消費電力(最大)
2.5W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
400 mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
14nC @ 5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
345pF @ 25V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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