STMicroelectronics STW65N65DM2AG MOSFET N-CH 650V 60A を購入

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STW65N65DM2AG

MOSFET N-CH 650V 60A

部品番号

STW65N65DM2AG

メーカー/ブランド

STMicroelectronics

シリーズ

Automotive, AEC-Q101, MDmesh™

部品のステータス

Active

包装

Tube

テクノロジー

MOSFET (Metal Oxide)

動作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ

Through Hole

パッケージ・ケース

TO-247-3

サプライヤーデバイスパッケージ

TO-247

消費電力(最大)

446W (Tc)

FETタイプ

N-Channel

FETの特徴

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)

650V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C

60A (Tc)

Rds オン (最大) @ Id、Vgs

50 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (最大) @ ID

5V @ 250µA

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs

120nC @ 10V

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds

5500pF @ 100V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)

10V

Vgs (最大)

±25V

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