TK040N65Z,S1F
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
部品番号
TK040N65Z,S1F
メーカー/ブランド
部品のステータス
Active
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
150°C
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247
消費電力(最大)
360W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
650V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
57A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
40 mOhm @ 28.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 2.85mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
105nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
6250pF @ 300V
Vgs (最大)
±30V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
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