TK25V60X,LQ
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
部品番号
TK25V60X,LQ
メーカー/ブランド
シリーズ
DTMOSIV-H
部品のステータス
Active
包装
-
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
150°C
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
4-VSFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ
4-DFN-EP (8x8)
消費電力(最大)
180W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
600V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
25A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
135 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
3.5V @ 1.2mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
40nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2400pF @ 300V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±30V
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