TK33S10N1Z,LQ
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
部品番号
TK33S10N1Z,LQ
メーカー/ブランド
シリーズ
U-MOSVIII-H
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
175°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ
DPAK+
消費電力(最大)
125W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
33A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
9.7 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 500µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
28nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2050pF @ 10V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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