TK4R3E06PL,S1X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
部品番号
TK4R3E06PL,S1X
メーカー/ブランド
シリーズ
U-MOSIX-H
部品のステータス
Active
包装
Tube
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
175°C (TJ)
取付タイプ
Through Hole
パッケージ・ケース
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220
消費電力(最大)
87W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
7.2 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID
2.5V @ 500µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
48.2nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
3280pF @ 30V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
4.5V, 10V
Vgs (最大)
±20V
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