TPN2010FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
部品番号
TPN2010FNH,L1Q
メーカー/ブランド
シリーズ
U-MOSVIII-H
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ
8-TSON Advance (3.3x3.3)
消費電力(最大)
700mW (Ta), 39W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
250V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
5.6A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
198 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 200µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
7nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
600pF @ 100V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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