TPN3300ANH,LQ
MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON
部品番号
TPN3300ANH,LQ
メーカー/ブランド
シリーズ
U-MOSVIII-H
部品のステータス
Active
包装
Cut Tape (CT)
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度
150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ・ケース
8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ
8-TSON Advance (3.3x3.3)
消費電力(最大)
700mW (Ta), 27W (Tc)
FETタイプ
N-Channel
FETの特徴
-
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)
100V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs
33 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID
4V @ 100µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
11nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
880pF @ 50V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)
10V
Vgs (最大)
±20V
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